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2N3878 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2N3878 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2N3878 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT VCEO(SUS)* Collector-Emitter Sustaining Voltage IC=200mA; IB= 0 50 V IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7V; IC= 0 10 mA VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A 2.0 V VBE(ON) Base-Emitter On Voltage IC=4A;VCE= 2V 2.5 V hFE-1* DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 2V 40 200 hFE-2* DC Current Gain IC= 4A; VCE= 2V 8 hFE-3* DC Current Gain IC= 4A; VCE= 5V 20 hFE-4* DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 5V 50 200 *:Pulse test:Pulse width=300us,duty cycle≤2% |
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