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2N4273 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2N4273
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2N4273 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor
isc website：www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
1
isc Silicon NPN Power Transistor
2N4273
DESCRIPTION
·
Excellent Safe Operating Area
·
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
·
100% avalanche tested
·
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation.
APPLICATIONS
·
Designed for switching regulator applications where high
frequency and high voltage swings and required
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case
7.0
℃
/W
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
175
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
140
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
9
V
IC
Collector Current-Continuous
2.5
A
PC
Collector Power Dissipation@TC=25℃
25
W
TJ
Junction Temperature
-65~200
℃
Tstg
Storage Temperature
-65~200
℃


同様の部品番号 - 2N4273

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Seme LAB		 2N4273 SEME-LAB-2N4273 Datasheet
15Kb / 1P		 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
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メーカー部品番号データシート部品情報
logo
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