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2SA635 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SA635 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Power Transistor 2SA635 DESCRIPTION · With TO-202 package · High current capability · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS · Power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -1.0 A PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 10 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ |
同様の部品番号 - 2SA635 |
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同様の説明 - 2SA635 |
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