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2SD214 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD214 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD214 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 10mA ; IB= 0 100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 2.0 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V; IB= 0 1.0 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 130V; IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5.0V; IC= 0 0.1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 4V 60 200 hFE-2 DC Current Gain IC= 5A ; VCE= 4V 30 fT Current Gain-Bandwidth Product IC= 0.5A ; VCE= 10V;f= 1.0MHz 8.0 MHz |
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