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2SD1858 データシート(PDF) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号 2SD1858
部品情報  Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package
PDF  7 Pages
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メーカー  FOSHAN [Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]
ホームページ  http://www.fsbrec.com/
Logo FOSHAN - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

2SD1858 データシート(HTML) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

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2SD1858
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
2 / 7
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
40
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
32
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5.0
V
Collector Current (DC)
IC
1.0
A
Collector Current (Pulse)
ICP
2.0
A
Collector Power Dissipation
PC
1.0
W
Junction Temperature
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
Tstg
-55～150
℃
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
Collector to Base Breakdown
Voltage
VCBO
IC=50μA
IB=0
40
V
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
VCEO
IC=1.0mA
IB=0
32
V
Emitter to Base Breakdown
Voltage
VEBO
IE=50μA
IC=0
5.0
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=20V
IE=0
0.5
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=4.0V
IC=0
0.5
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=3.0V
IC=100mA
82
390
Collector to Emitter Saturation
Voltage
VCE(sat) IC=500mA
IB=50mA
0.15
0.4
V
Transition Frequency
fT
VCE=5.0V
IC=50mA
f=100MHz
150
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=10V
IE=0
f=1.0MHz
15
pF
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)



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