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2SC1815 データシート(PDF) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号 2SC1815
部品情報  Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package
PDF  6 Pages
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メーカー  FOSHAN [Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]
ホームページ  http://www.fsbrec.com/
Logo FOSHAN - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

2SC1815 データシート(HTML) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

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2SC1815
Rev.E Nov.-2015
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
2 / 6
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5.0
V
Collector Current - Continuous
IC
150
mA
Base Current - Continuous
IB
50
mA
Collector Power Dissipation
PC
400
mW
Junction Temperature
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
Tstg
-55～150
℃
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
Collector to Base Breakdown
Voltage
VCBO
IC=100μA
IE=0
60
V
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
VCEO
IC=500μA
IB=0
50
V
Emitter to Base Breakdown
Voltage
VEBO
IE=100μA
IC=0
5.0
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=60V
IE=0
0.1
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=5.0V
IC=0
0.1
μA
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=6.0V
IC=2.0mA
70
700
hFE(2)
VCE=6.0V
IC=150mA
25
100
Collector to Emitter Saturation
Voltage
VCE(sat)
IC=100mA
IB=10mA
0.1
0.25
V
Base to Emitter Saturation
Voltage
VBE(sat)
IC=100mA
IB=10mA
1.0
V
Transition Frequency
fT
VCE=10V
IC=1.0mA
80
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V
IE=0
f=1.0MHz
2.0
3.5
pF
Noise Figure
NF
VCE=6.0V
IC=0.1mA
Rg=10KΩ
f=1.0KHz
1.0
10
dB
Base Intrinsic Resistance
rbb
′
VCB=10V
IC=1.0mA
f=30MHz
50
Ω
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)



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