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2SC3355 データシート(PDF) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号 2SC3355
部品情報  Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package
PDF  6 Pages
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メーカー  FOSHAN [Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]
ホームページ  http://www.fsbrec.com/
Logo FOSHAN - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

2SC3355 データシート(HTML) 2 Page - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

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2SC3355
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
2 / 6
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
20
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
12
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
3.0
V
Collector Current - Continuous
IC
100
mA
Collector Power Dissipation
PC
600
mW
Junction Temperature
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
Tstg
-55～150
℃
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=10V
IE=0
1.0
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=1.0V
IC=0
1.0
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=10V
IC=20mA
50
120
300
Transition Frequency
fT
VCE=10V
IC=20mA
6.5
GHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V
IE=0
f=1.0GHz
0.65
1.0
pF
Insertion Power Gain
|S21e|
2
VCE=10V
IC=20mA
f=1.0GHz
9.5
dB
Noise Figure
NF(1)
VCE=10V
IC=7.0mA
f=1.0GHz
1.1
dB
NF(2)
VCE=10V
IC=40mA
f=1.0GHz
1.8
3.0
dB
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)



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