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SSD04N65J データシート(PDF) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

部品番号 SSD04N65J
部品情報  N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
PDF  3 Pages
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メーカー  SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
ホームページ  http://www.secosgmbh.com
Logo SECOS - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SSD04N65J データシート(HTML) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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Elektronische Bauelemente
SSD04N65J
4A, 650V, RDS(ON) 3
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
28-Dec-2015 Rev. A
Page 2 of 3
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test condition
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
650
-
-
V
VGS=0, ID=250µA
Drain-Source Diode Forward Voltage
2
VSD
-
-
1.5
V
VGS=0, IS=4A
Drain-Source Leakage Current
IDSS
-
-
25
µA
VDS=600V, VGS=0
Gate-Source Leakage Current
2
IGSS
-
-
±100
nA
VDS=0V, VGS=±30V
On Characteristics
2
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
2
-
4
V
VDS=VGS, ID=250µA
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON)
-
-
3
VGS=10V, ID=2A
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
Ciss
-
760
-
Output Capacitance
Coss
-
180
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
20
-
pF
VDS=25V
VGS=0
f=1MHz
Switching Characteristics
Total Gate Charge
Qg
-
5
-
Gate-Source Charge
Qgs
-
2.7
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
2
-
nC
VDS=480V
VGS=10V
ID=4A
Turn-on Delay Time
Td(on)
-
20
-
Rise Time
Tr
-
10
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
40
-
Fall Time
Tf
-
20
-
nS
VDD=300V
VGS=10V
RG=9.1
ID=4A
Notes:
1.
EAS condition: L=30mH, IL=4A, VDD=100V, RG=25 , Starting TJ=25°C.
2.
Pulse Test: Pulse width≦300µs, duty cycle≦2%.



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