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2SA1952 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2SA1952
部品情報  isc Silicon PNP Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2SA1952 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor
isc website：www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc Silicon PNP Power Transistor
2SA1952
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)CBO
Collector-base breakdown voltage
IC = −50µA; IE= 0
-100
V
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC= -10mA ; IB= 0
-60
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown voltage
IE = −50µA; IC= 0
-5
V
VCE(sat)-1
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -3A; IB= -0.15A
-0.3
V
VCE(sat)-2
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -4A; IB= -0.2A
-0.5
V
VBE(sat)-1
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= -3A; IB= -0.15A
-1.2
V
VBE(sat)-1
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= -4A; IB= -0.2A
-1.5
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB= -100V ; IE= 0
-10
μ
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= -5V; IC= 0
-10
μ
A
hFE-1
DC Current Gain
IC= -1A ; VCE= -2V
120
270
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IC= -1A ; VCE= -4V
80
MHz
COB
Output Capacitance
IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1MHz
130
pF



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