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P8B28HP2 データシート(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

部品番号 P8B28HP2
部品情報  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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メーカー  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
ホームページ  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P8B28HP2 データシート(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率 −ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
Pulse measurement
VDS=１５V
TYP
過渡熱抵抗
単発アバランシェ電流−インダクタンス
TC=２５℃
TYP
VGS=１０V
８V
出力特性
Typical Output Characteristics
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
０
１６
１２
８
４
１４
１０
６
２
０２
４
８
６
１
３７
５
Pulse measurement
VGS=６V
VGS=５V
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ=−５５℃
Ｔｃ=２５℃
Ｔｃ=１００℃
伝達特性
Transfer Characteristics
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
０
１６
１２
８
４
１４
１０
６
２
０２４
８
１０
６
ドレイン・ソース間オン抵抗−ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Drain Current ID〔A〕
２
１
０.１
０.１
１０ １６
１
Pulse measurement
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
ドレイン・ソース間オン抵抗−ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
０.０５
０.１
１
5
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
ID=４A
ゲートしきい値電圧−ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
５
４.５
４
３.５
３
２.５
２
安全動作領域
Safe Operating Area
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
Power Dissipation
Limited
Tc＝２５℃
Single pulse
10ms
1ms
100μs
10μs
DC
１０
８
５０
３２
２４
１６
０．
０１
１
０．
１
１０
１
２８０
１００
Time t〔s〕
１０-５ １０-４ １０-3
１０-2
１０-1
１０0
１０2
１０1
Transient Thermal Impedance
０.０１
０.００１
０.１
１０
１
Inductance L〔mH〕
Single Avalanche Current vs Inductive Load
０.１
５０
１０
８
１
VDD=１００V
VGS=１５V, −０V
Rg=７０Ω
０.１
０.０１
１
１０
１００
EAR=４.５mJ
EAS=４５mJ
IAS=8A
VVDS
DS
VDS
０
２０
１０
ゲートチャージ特性
０
２５０
１５０
２００
１００
５０
Gate Charge Characteristics
０２
４
６８
１０ １２
１４ １６
ID=８A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VVＧＧSS
VＧS
VDD=２００Ｖ
１００Ｖ
５０V
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
１０００
１００
１
１０
０
２８０
８０
２００ ２４０
４０
１２０ １６０
P8B28HP2
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（MOS-p〈2014.09〉）



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