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3DD4804-O-R-B-B データシート(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部品番号 3DD4804-O-R-B-B
部品情報  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  7 Pages
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メーカー  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
ホームページ  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD4804-O-R-B-B データシート(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

  3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 1Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 2Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 3Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 4Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 5Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 6Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4804-O-R-B-B Datasheet HTML 7Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
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background image
R
3DD4804
版本：201212E
2/7
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
注
：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
< 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻
TO-220HF/DPAK
Thermal Resistance Junction Case TO-220HF/DPAK
Rth(j-c)
-
3.57
/W
℃
结到管壳的热阻
TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
Rth(j-c)
-
1.79
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
1050
V
集电极
—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
450
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
16
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
4
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
8
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
2
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
IBP
4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220HF/DPAK)
PC
35
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
70
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
450
-
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
1050
-
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
16
-
-
V
ICBO
VCB=1000V, IE=0
-
-
100
μA
ICEO
VCE=450V,IB=0
-
-
50
μA
IEBO
VEB=16V, IC=0
-
-
10
μA
Hfe(1)
VCE =5V, IC=200mA
30
-
80
Hfe(2)
VCE =5V, IC=2A
5
-
-
VCE(sat)(1)
IC=1A, IB=0.2A
-
-
0.5
V
VCE(sat)(2)
IC=3.5A, IB=1A
-
-
1.5
V
VBE(sat)
IC=3.5A, IB=1A
-
-
1.5
V
ts
IC=0.5A,IB =0.1A
1.2
3.5
μS
fT
VCE=10V, IC=0.5A
6
-
-
MHz



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