2N7002T データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	2N7002T(65) の検索結果.
一致 , 類似	2N7002T(26) 2N7002T.(1) 2N7002TB(1) 2N7002TE(1) 2N7002TQ(1)
前一致	2N7002T(25) 2N7002T-(9) 2N7002TG(3) 2N7002TL(2) 2N7002TP(1) 2N7002TQ(6)
後一致	*M2N7002T(1)
含む	2N7002T(3)

メーカー

2N7002T データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "2N7002T" - 結果は : 61 ( 1/4 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

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2N7002T の簡単な説明

2N7002Tは、小さいシグナルNチャンネルMOSFET（金属酸化酸化伝達伝導器のフィールド効果トランジスタ）です。 MOSFETは、電子シグナルを制御および増幅する能力のために、電子回路で広く使用されています。 2N7002Tは、低電力アプリケーション向けに設計されており、一般的に切り替えおよび増幅の目的に使用されます。

2N7002T MOSFETのいくつかの重要な仕様を次に示します。

トランジスタタイプ：N-Channel Mosfet
最大排水管電圧（VDS）：60V
最大ゲートソース電圧（VGS）：±20V
最大連続排水電流（ID）：115MA
最大電力散逸（PD）：360MW
しきい値電圧（VTH）：通常、約1.5V
オン耐性（RDS（オン））：通常、VGSの約5Ω= 4.5V

2N7002T MOSFETは、一般的に低電圧スイッチングアプリケーションに使用されます。低いしきい値電圧を提供します。つまり、低電圧信号で簡単に制御できます。耐性は比較的低く、効率的な切り替え操作が可能になります。

2N7002T 代替品

2N7002Tは、低電力スイッチングアプリケーションに一般的に使用される特定のタイプのNチャンネルMOSFET（金属酸化酸化能力伝導器フィールドエフェクトトランジスタ）です。同じ部品番号の正確な交換は容易に入手できない場合がありますが、考慮できる代替オプションがあります。 2N7002T MOSFETの潜在的な代替品がいくつかあります。

IRF5305：IRF5305は、最大排水電流が31a、最大排水管電圧が55VのNチャンネルMOSFETです。 2N7002Tと同様の電気特性を持ち、多くの低電力スイッチングアプリケーションで交換として使用できます。

BS170：BS170は、最大排水電流が0.5aで、最大排水管電圧が60Vの別のNチャンネルMOSFETです。低電力スイッチング回路で一般的に使用され、特定のアプリケーションで2N7002Tの代替として使用できます。

BSS138：BSS138は、最大排水電流が0.17aで、最大排水管電圧が50VのNチャンネルMOSFETです。低電力スイッチングアプリケーションでよく使用され、適切な回路の2N7002Tの代替品と見なすことができます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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