2SC3356 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	2SC3356(99) の検索結果.
一致 , 類似	2SC3356(24) 2SC3356A(1) 2SC3356B(1) 2SC3356D(1) 2SC3356F(1) 2SC3356K(1) 2SC3356S(1) 2SC3356W(2)
前一致	2SC3356(56) 2SC3356-(31) 2SC3356A(2) 2SC3356G(1) 2SC3356K(3) 2SC3356L(5) 2SC3356Q(1) 2SC3356R(1) 2SC3356S*(4)
後一致	No Data
含む	2SC3356(14) 2SC3356L(3) 2SC3356R(4) 2SC3356W(3)

メーカー

2SC3356 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "2SC3356" - 結果は : 85 ( 1/5 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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2SC3356 の簡単な説明

「2SC3356」は、NPN双極ジャンクショントランジスタ（BJT）に通常使用される部品指定です。これは、低電力増幅およびスイッチングアプリケーションで一般的に使用される小さな信号トランジスタです。

2SC3356トランジスタの一般的な仕様を次に示します。

最大コレクターベース電圧（VCBO）：通常、約25ボルト
最大コレクターエミッター電圧（VCEO）：通常、約20ボルト
最大エミッタベース電圧（VEBO）：通常、約4ボルト
最大コレクター電流（IC）：通常、約50 MA
最大電力散逸（PD）：通常、約150 MW
パッケージタイプ：通常SOT-23（小さな表面マウントトランジスタアウトラインパッケージ）
2SC3356トランジスタは、オーディオアンプ、スイッチングサーキット、低電力の汎用回路などのアプリケーションで一般的に使用されています。

2SC3356 代替品

2SC3356トランジスタの適切な代替品は2SC3355です。 2SC3355は、2SC3356と同様の電気特性とパッケージタイプを共有する相補的なNPNトランジスタです。

2SC3356と2SC3355トランジスタの間の重要な類似点を次に示します。

トランジスタタイプ：2SC3356と2SC3355トランジスタの両方は、NPN双極接合トランジスタ（BJTS）です。

電圧と電流定格：2SC3356および2SC3355トランジスタの電圧と電流定格は同等です。両方のトランジスタには、同様の最大コレクター電流（IC）と最大コレクターエミッター電圧（VCEO）定格があります。

パッケージタイプ：2SC3356および2SC3355トランジスタは、通常、TO-92やSOT-23などの同じパッケージタイプで使用できます。これらのパッケージは一般的であり、汎用アプリケーションに適しています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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