IRF3710 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF3710(40) の検索結果.
一致 , 類似	IRF3710(5) IIRF3710(1) IRF3710L(2) IRF3710S(2) IRF3710Z(4)
前一致	IRF3710(28) IRF3710L(1) IRF3710P(3) IRF3710S(4) IRF3710Z*(12)
後一致	No Data
含む	IRF3710(5)

メーカー

IRF3710 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF3710" - 結果は : 34 ( 1/2 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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IRF3710 の簡単な説明

IRF3710は、民生用および産業用電子機器の高速スイッチングおよび電力制御アプリケーション向けに設計された高性能NチャネルパワーMOSFETです。International Rectifier（現在はInfineon Technologiesの傘下）が製造するIRF3710は、モーター駆動装置、DC-DCコンバータ、電源、インバータ、その他の高効率電力管理システムに広く使用されています。

このデバイスのドレイン-ソース間電圧（V_DS）定格は100Vで、適切な放熱性を備え、最大57Aの連続ドレイン電流を処理できます。約0.02Ωと非常に低いオン抵抗（R_DS(on)）を特長としており、導通損失を低減し、スイッチングアプリケーションにおける全体的な効率を向上させます。高速スイッチング速度と低いゲート電荷により、高周波電力変換およびPWM制御に最適です。

IRF3710は標準のTO-220ケースに収められており、優れた熱性能を備え、スルーホールPCB設計への統合が容易です。ゲート駆動電圧は約10Vでフルエンハンスメント動作が可能で、ほとんどのMOSFETドライバICやロジックレベル制御回路（適切なインターフェース接続が必要）と互換性があります。

IRF3710は堅牢で効率が高く、広く使用されているNチャネルMOSFETです。低損失と高速動作が求められる中～高電力スイッチングアプリケーションにおいて、信頼性の高いソリューションを提供します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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