IRF510 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

データシートサーチシステム

ALLDATASHEET.JP

X

ショートカット	IRF510(34) の検索結果.
一致 , 類似	IRF510(13) IRF510A(1) IRF510N(8) IRF510S(3)
前一致	IRF510(20) IRF510-(1) IRF510P(2) IRF510S(5)
後一致	No Data
含む	No Data

メーカー

IRF510 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF510" - 結果は : 34 ( 1/2 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

12

12

IRF510 の簡単な説明

IRF510は、広く使用されているNチャネルMOSFETトランジスタです。 MOSFET（金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ）は、小さな電子機器から大規模な電気システムまで、さまざまなデバイスの電子信号を増幅または切り替えるために使用されるトランジスタの一種です。

特に、IRF510は、ドライブの容易さ、比較的高い電流処理能力、効率性で知られています。多くの場合、電源の切り替え、モーターコントロール、インバーター、チョッパー、オーディオアンプ、高速ドライバーなどのアプリケーションで利用されます。

IRF510 MOSFETの重要な特性の一部を次に示します。

VDSS（ドレインソースブレークダウン電圧）：通常は約100V（通常約100V）を処理できます。つまり、高電圧要件を持つ回路で使用できます。

ID（連続排水電流）：これは、Drainを連続的に流れる可能性のある電流の量を指定し、IRF510は通常5.6a前後でした。

RDS（on）（排水路上の耐摩耗性）：これは、トランジスタがオンになっているときの排水とソースの間の抵抗です。 IRF510の場合、これは通常非常に低いため、電力散逸の点で効率的になります。

VGS（TH）（ゲートのしきい値電圧）：これは、MOSFETがオンになり始めた電圧です。 IRF510の場合、ゲートのしきい値電圧は通常、約2V〜4Vです。

電力散逸：IRF510が最大接合温度を超えることなく処理できる最大電力は通常、約43ワットであり、多くのアプリケーションに適しています。

構成：スルーホールの取り付けに適したTO-220パッケージで利用でき、プロトタイピングと生産で使いやすくなります。

動作温度：通常、温度範囲は-55°Cから +175°Cで動作し、さまざまな環境に適した範囲を提供します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

リンク URL

ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか？ [ DONATE ]

Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com