IRF540 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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IRF540 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF540" - 結果は : 99 ( 1/5 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	IRF540	86Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF540	53Kb/6P	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET Apr-1998
STMicroelectronics	IRF540	311Kb/8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003
Vishay Siliconix	IRF540	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF540	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF540	156Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb/6P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF540	338Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	984Kb/3P	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	103Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
First Silicon Co., Ltd	IRF540	1Mb/4P	N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
SYC Electronica	IRF540	259Kb/7P	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540	308Kb/2P	N-Channel Power MOSFET
Nanjing International G...	IRF540	2Mb/7P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF540	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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IRF540 の簡単な説明

IRF540は、高出力スイッチングおよび増幅アプリケーションのために電子回路で使用される一般的なPower MOSFET（金属酸化物陰導体フィールド効果トランジスタ）です。これは、IRFシリーズのパワーMOSFETの一部であり、比較的高い電流と電圧を処理する能力で知られています。 IRF540 MOSFETのいくつかの重要な機能と仕様を次に示します。

極性：Nチャネル。

IRF540はNチャンネルMOSFETです。つまり、電子の流れを使用して電流を切り替えて制御します。
排水管電圧（VDS）：通常、100Vと定格。

MOSFETがオフ状態にあるときに、ドレイン端子とソース端子の間に適用できる最大電圧。
連続排水電流（ID）：通常、33aの定格。

MOSFETが状態で継続的に処理できる最大電流。
オン耐性（RDS（オン）：通常は低く、多くの場合、MillioHMの範囲があります。

MOSFETが完全にオンになっているときのドレイン端子とソース端子の間の抵抗。
ゲートしきい値電圧（VGS（TH））：通常、約2V〜4V。

MOSFETをオンにするために必要な電圧。
ゲートソース電圧（VGS）：通常、±20Vまで定格。

ゲート端子とソース端子間で適用できる最大電圧。
パッケージ：IRF540は通常、TO-220またはTO-220ABパッケージで利用可能であり、冷却のためのヒートシンクへの熱性能と取り付けの容易さを提供します。

アプリケーション：IRF540 MOSFETは、電源の切り替え、モーターコントロール回路、アンプ出力段階、および高電流スイッチングを必要とするその他のアプリケーションなどの高出力アプリケーションで一般的に使用されています。

熱散逸：IRF540は動作中に熱を発生させる可能性があるため、高出力用途には熱を含む適切な熱管理が必要になる場合があります。

雪崩エネルギー評価：IRF540には雪崩エネルギー評価があり、これはMOSFETが過渡電圧スパイク中に安全に吸収できるエネルギー量を指定します。

IRF540 代替品

IRF540 は、大電流スイッチングアプリケーションに一般的に使用される N チャネル MOSFET で、最大ドレイン-ソース間電圧 100V と連続ドレイン電流 28A を特徴としています。いくつかの MOSFET は同様の特性を備えており、代替品として使用できます。

IRF540N:

IRF540 の拡張バージョンで、パフォーマンスが向上しています。
最大ドレイン・ソース間電圧: 100V。
連続ドレイン電流：33A。
オン抵抗が低くなり、効率が高くなります。
IRFZ44N:

同等の電圧および電流定格を備えた N チャネル MOSFET。
最大ドレイン・ソース間電圧: 55V。
連続ドレイン電流：49A。
定格電圧が低い。アプリケーションとの互換性を確保します。
IRLZ44N:

低電圧ゲート駆動に適したロジックレベルのNチャネルMOSFET。
最大ドレイン・ソース間電圧: 55V。
連続ドレイン電流：47A。
マイクロコントローラーとのインターフェースに最適です。
STP55NF06:

同様の仕様の N チャネル MOSFET。
最大ドレイン・ソース間電圧: 60V。
連続ドレイン電流：50A。
さまざまなスイッチング用途に最適です。
BUZ11:

同等の定格を持つ N チャネル MOSFET。
最大ドレイン・ソース間電圧: 50V。
連続ドレイン電流：30A。
自動車用途でよく使用されます。
代替品を選択するときは、次の要素を考慮してください。

電圧および電流定格: 代替MOSFETが回路内で必要な電圧および電流レベルを処理できることを確認してください。
オン抵抗 (R_DS(on)): オン抵抗が低いほど、効率が向上し、発熱が減少します。
ゲートしきい値電圧: 設計内のゲート駆動電圧が MOSFET を完全にオンにするのに十分であることを確認します。
パッケージのタイプとピン構成: 物理パッケージとピン配置が回路レイアウトと互換性があることを確認します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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