IRF540N データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF540N(32) の検索結果.
一致 , 類似	IRF540N(7) IRF540NL(4) IRF540NS(5)
前一致	IRF540N(25) IRF540NL(3) IRF540NP(4) IRF540NS(9)
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IRF540N データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF540N" - 結果は : 32 ( 1/2 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Intersil Corporation	IRF540N	126Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
International Rectifier	IRF540N	99Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540N	734Kb/8P	Advanced Process Technology
Fairchild Semiconductor	IRF540N	138Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET
Multicomp Pro	IRF540N	1Mb/5P	N Channel MOSFET 05/08/24 V1.0
Inchange Semiconductor ...	IRF540N	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF540N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF540NL	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
International Rectifier	IRF540NL	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540NL	1Mb/10P	Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF540NL	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF540NLPBF	284Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NPBF	149Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
VBsemi Electronics Co.,...	IRF540NPBF	984Kb/7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF540NS	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF540N の簡単な説明

IRF540Nは、特に高電力のスイッチングおよび増幅回路で幅広い電子アプリケーションで使用されることで知られる一般的なNチャンネル電源MOSFET（金属酸化物 - 酸化陰誘導器フィールド効果トランジスタ）です。 IRF540N MOSFETのいくつかの重要な機能と仕様を次に示します。

N-Channel MOSFET：IRF540NはNチャンネルMOSFETです。つまり、ソース端子に対して正電圧がゲート端子に適用されると電流が導入されます。

電圧定格：IRF540Nは通常、特定のモデルとメーカーに応じて、多くの場合100Vから1000Vの高電圧定格を持ちます。

現在の評価：モデルに応じて、通常は22A〜33Aの範囲で、比較的高い連続ドレン電流を処理できます。

オンレジスタンス（RDS（オン））：多くの場合、RDS（ON）として示される抵抗性は通常低く、これはMOSFETが導電性状態の場合、電圧低下を最小限に抑えます。これにより、効率的な電力処理が行われます。

ゲートしきい値電圧（VGS（TH））：ゲートのしきい値電圧は、MOSFETをオンにするのに必要な電圧です。 IRF540Nの場合、これは通常約2V〜4Vです。

パッケージ：IRF540Nは、一般的にTO-220またはTO-220ABパッケージで利用可能であり、優れた熱性能を提供し、冷却のヒートシンクへの取り付けを容易にします。

アプリケーション：IRF540Nは、パワーアンプ、モーター制御、スイッチング電源、モータードライブ、その他の高電力電子回路など、さまざまなアプリケーションで使用されます。

熱散逸：IRF540NのようなMOSFETは、特に高電流を処理する場合、操作中に熱を発生させる可能性があるため、高電力アプリケーションにはヒートシンクを含む適切な熱管理が必要になる場合があります。

保護機能：IRF540Nのいくつかのバリアントには、過電流や過去の保護などの組み込み保護機能が含まれている場合があります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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