IRF630 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF630(104) の検索結果.
一致 , 類似	IRF630(27) HIRF630(1) IRF630A(2) IRF630B(4) IRF630F(1) IRF630M(2) IRF630N(8) IRF630S(8)
前一致	IRF630(70) IRF630F(4) IRF630M(4) IRF630N(26) IRF630P(5) IRF630S(6)
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メーカー

IRF630 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF630" - 結果は : 102 ( 1/6 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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IRF630 の簡単な説明

IRF630は、電源、モータードライバー、DC-DCコンバータ、オーディオアンプなどの中電圧スイッチングおよび増幅アプリケーション向けに設計されたNチャネルパワーMOSFETです。International Rectifier（現在はInfineon Technologies傘下）をはじめとするベンダーによって製造されているIRF630は、その信頼性、優れたスイッチング速度、そして産業用電子機器と民生用電子機器の両方において幅広い性能で高く評価されています。

このMOSFETのドレイン-ソース間電圧（V_DS）定格は200Vで、十分なヒートシンクがあれば最大9Aの連続ドレイン電流を流すことができます。標準オン抵抗（R_DS(on)）は約0.4Ωで、スイッチングアプリケーションにおける電力損失と発熱を低減します。スイッチング時間が短くゲート電荷が比較的低いIRF630は、効率的な電力制御が求められる中高速回路に適しています。

IRF630は、一般的なTO-220ケースに収められており、優れた熱性能を備え、ヒートシンクへの取り付けも容易です。そのため、中程度の消費電力を管理する必要がある設計に最適です。ロジックレベルMOSFETではありませんが、高いゲート駆動電圧（通常10V程度）が利用可能な回路に適しています。

IRF630は、汎用性が高く、広く使用されているNチャネルMOSFETであり、様々な電子機器における中電圧・中電流スイッチングタスクにおいて、信頼性が高くコスト効率の高いソリューションを提供します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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