IRF640 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF640(87) の検索結果.
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IRF640 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF640" - 結果は : 86 ( 1/5 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	IRF640	95Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF640	107Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET Oct-1999
Vishay Siliconix	IRF640	168Kb/8P	Power MOSFET 16-Nov-15
Vishay Siliconix	IRF640	1Mb/8P	Power MOSFET 07-Jul-08
Fairchild Semiconductor	IRF640	916Kb/10P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRF640	178Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640	132Kb/7P	18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Suntac Electronic Corp.	IRF640	168Kb/6P	POWERTR MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF640	161Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Dc Components	IRF640	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Weitron Technology	IRF640	994Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET
Comset Semiconductor	IRF640	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
Nell Semiconductor Co.,...	IRF640	621Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
First Components Intern...	IRF640	158Kb/5P	18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF640	453Kb/6P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF640	326Kb/8P	N - CHANNEL 200V - 0.150W - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAYÔ MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF640	140Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF640	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF640	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS

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IRF640 の簡単な説明

IRF640は、Power MOSFET（金属酸化物-陰導体フィールド効果トランジスタ）の特定の部品番号です。 MOSFETは、特に高電力および高電圧アプリケーションで、切り替えおよび増幅アプリケーションのために電子回路で一般的に使用される半導体デバイスです。

IRF640 Power MOSFETの重要な特性と仕様を次に示します。

タイプ：IRF640はNチャネルパワーMOSFETです。

パッケージ：通常、高出力MOSFETの一般的なパッケージであるTO-220、TO-220AB、または同様のパッケージなどのスルーホールパッケージがあります。これらのパッケージは、優れた熱性能を提供します。

極性：NチャネルMOSFETとして、電流は排水路からアクティブ状態にあるときに流れに流れます。

電圧と電流定格：IRF640は、高電圧と電流定格で知られています。通常、高排水管電圧（VDS）定格を処理するように設計されており、多くの場合200ボルトを超え、高排水電流（ID）定格を超えて、多くの場合、いくつかのアンペア（A）の範囲にあります。

オン耐性（RDS（ON））：抵抗性は、MOSFETが伝導状態にあるときに提供する抵抗量を示す重要なパラメーターです。 IRF640は通常、耐性が低いため、高電流アプリケーションでの電力散逸を最小限に抑えるために重要です。

ゲートのしきい値電圧（VGS（TH））：これは、MOSFETが導かされるゲートソース電圧です。 IRF640の場合、通常は2〜4ボルトの範囲です。

アプリケーション：IRF640 MOSFETは、電力増幅、モーター制御、電圧調節などの高出力スイッチングアプリケーションで、および高電力電子回路の構成要素として使用されます。

ピンアウト：IRF640 MOSFETのTO-220パッケージピンアウトには、ドレイン、ゲート、ソースの3つのリードが含まれています。

IRF640 代替品

IRF640は、パワースイッチングアプリケーションで一般的に使用されている人気のNチャンネルMOSFETトランジスタです。 IRF640 MOSFETの代替品を探している場合は、類似または互換性のある仕様を備えたいくつかの選択肢を検討できます。適切な代替品には次のものがあります。

IRF540：IRF540は、IRF640と同様の電圧と電流定格を備えたNチャンネルMOSFETです。しばしばドロップインの代替品として使用されます。

IRF530：IRF530は、IRF640と同様の特性を持つ別のNチャンネルMOSFETであり、多くのアプリケーションで代替として機能することができます。

IRF640N：これは、仕様とパフォーマンスが改善されたIRF640の更新バージョンです。 IRF640と互換性があり、回路内の潜在的な機能強化に代わるものとして使用できます。

IRF740：IRF740は、IRF640と比較して高電圧と電流定格を備えたNチャンネルMOSFETです。より高い電圧または電流処理機能が必要な場合、これは代替品になる可能性があります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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