IRF640N データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF640N(35) の検索結果.
一致 , 類似	IRF640N(6) IIRF640N(1) IRF640NL(6) IRF640NS(5)
前一致	IRF640N(26) IRF640NL(4) IRF640NP(5) IRF640NS(6)
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IRF640N データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF640N" - 結果は : 34 ( 1/2 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRF640N	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640N	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640N	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640N	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	201Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	338Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NL	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640NL	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640NL	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NL	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NL	1Mb/11P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640NL	288Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NLPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NLPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF640NPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology

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IRF640N の簡単な説明

IRF640Nは、幅広い電子回路における高速スイッチングと効率的な電力処理を実現するために設計されたNチャネルパワーMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）です。International Rectifier（現在はInfineon Technologiesの傘下）が製造するIRF640Nは、電源、モータードライバー、DC-DCコンバータ、インバータなどのアプリケーションで広く使用されています。

このMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧（V_DS）が200V、連続ドレイン電流（I_D）が最大18A、オン抵抗（R_DS(on)）が約0.18Ωと高く、高電圧・高電流に対応できるため、中電力から高電力のアプリケーションに適しています。また、高速スイッチングと低ゲート電荷を特徴としており、効率的な高周波動作を可能にします。

IRF640Nは通常、TO-220フォームファクタでパッケージ化されており、優れた熱性能を備え、PCBへの実装時に容易にヒートシンクを取り付けることができます。特に高電圧・中電流の環境において、効率的な電力制御とスイッチングが求められる回路で多く使用されます。

IRF640Nは、産業用電子機器と民生用電子機器の両方において、スイッチングおよび増幅タスクにおいて優れた性能を発揮する、耐久性と信頼性に優れたパワーMOSFETです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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