IRF740 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRF740(139) の検索結果.
一致 , 類似	IRF740(17) HIRF740(1) IRF7401(5) IRF7402(1) IRF7403(3) IRF7404(5) IRF7406(3) IRF740A(4) IRF740B(3) IRF740S(3)
前一致	IRF740(116) IRF7401(8) IRF7402(5) IRF7403(7) IRF7404(10) IRF7406(10) IRF740A(25) IRF740B(2) IRF740F(2) IRF740L(7) IRF740P(7) IRF740S(6)
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メーカー

IRF740 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRF740" - 結果は : 135 ( 1/7 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
STMicroelectronics	IRF740	93Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Oct-1998
Vishay Siliconix	IRF740	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF740	276Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF740	157Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF740	154Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF740	894Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF740	56Kb/7P	10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Suntac Electronic Corp.	IRF740	100Kb/3P	POWER MOSFET
Dc Components	IRF740	209Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	IRF740	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF740	71Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
First Components Intern...	IRF740	444Kb/3P	10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF740	345Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	IRF740	279Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SYC Electronica	IRF740	234Kb/7P	N - CHANNEL 400V - 0.48 W - 10 A - TO-220 PowerMESHÔ MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF740	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Analog Devices	IRF7401	279Kb/22P	Thermoelectric Cooler Controller REV. D
Analog Devices	IRF7401	416Kb/24P	Thermoelectric Cooler Controller 11/03-Data Sheet Changed from REV. B to REV. C.
International Rectifier	IRF7401	118Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRF7401	402Kb/8P	N-Channel MOSFET Rev:2023A2

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IRF740 の簡単な説明

IRF740は、高電力スイッチングおよび増幅アプリケーションのために電子回路で一般的に使用される電力MOSFET（金属酸化系光導体フィールド効果トランジスタ）です。これは、IRFシリーズのパワーMOSFETの一部であり、高流と電圧を処理する能力で知られています。 IRF740 MOSFETのいくつかの重要な機能と仕様を次に示します。

極性：Nチャネル。

IRF740はNチャネルMOSFETです。つまり、電子流量を使用して電流を制御します。
ドレインソース電圧（VDS）：通常、400Vの定格。

MOSFETがオフ状態にあるときに、ドレイン端子とソース端子の間に適用できる最大電圧。
連続排水電流（ID）：通常、10aの定格。

MOSFETが状態で継続的に処理できる最大電流。
オン耐性（RDS（オン）：通常は低く、多くの場合、MillioHMSの範囲があります。

MOSFETが完全にオンになっているときのドレイン端子とソース端子の間の抵抗。
ゲートしきい値電圧（VGS（TH））：通常、約2V〜4V。

MOSFETをオンにするために必要な電圧。
ゲートソース電圧（VGS）：通常、±20Vまで定格。

ゲート端子とソース端子間で適用できる最大電圧。
パッケージ：IRF740は通常、TO-220またはTO-220ABパッケージで利用可能であり、冷却のためのヒートシンクへの熱性能と取り付けの容易さを提供します。

アプリケーション：IRF740 MOSFETは、電源の切り替え、モーターコントロール回路、アンプ出力段階、および高電流スイッチングを必要とするその他のアプリケーションなど、高出力アプリケーションで一般的に使用されています。

熱散逸：IRF740は動作中に熱を発生させる可能性があるため、高電力用途にはヒートシンクを含む適切な熱管理が必要になる場合があります。

雪崩エネルギー評価：IRF740には雪崩エネルギー評価があり、これはMOSFETが過渡電圧スパイク中に安全に吸収できるエネルギー量を指定します。

IRF740 代替品

IRF740 は、高速スイッチングアプリケーション向けに設計された N チャネルパワー MOSFET で、最大ドレイン-ソース間電圧 400V と連続ドレイン電流 10A を特長としています。いくつかの MOSFET は同様の特性を備えており、代替品として使用できます。

IRF740A:

最大ドレイン・ソース間電圧: 400V
連続ドレイン電流: 10A
総ゲート電荷: 36 nC
パッケージ: TO-220AB
IRF740LC:

最大ドレイン・ソース間電圧: 400V
連続ドレイン電流: 10A
低静電容量によるスイッチング性能の向上
パッケージ: TO-220AB
IRFB13N50A:

最大ドレイン・ソース間電圧: 500V
連続ドレイン電流: 13A
総ゲート電荷: 94 nC
パッケージ: TO-220AB
IRFB17N50L:

最大ドレイン・ソース間電圧: 500V
連続ドレイン電流: 17A
効率的なスイッチングのための低いオン抵抗
パッケージ: TO-220AB
代替品を選択するときは、次の要素を考慮してください。

電圧および電流定格: 代替MOSFETが回路内で必要な電圧および電流レベルを処理できることを確認してください。
オン抵抗 (R_DS(on)): オン抵抗が低いほど、効率が向上し、発熱が減少します。
ゲート電荷: 総ゲート電荷が低いほど、スイッチング時間が短縮され、電力損失が減少します。
パッケージのタイプとピン構成: 物理パッケージとピン配置が回路レイアウトと互換性があることを確認します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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