IRFP250 データシート, PDF - Datasheet Search Engine

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ショートカット	IRFP250(46) の検索結果.
一致 , 類似	IRFP250(14) IRFP250A(3) IRFP250B(3) IRFP250M(2) IRFP250N(4)
前一致	IRFP250(27) IRFP250M(5) IRFP250N(6) IRFP250P(4)
後一致	No Data
含む	IRFP250(2)

メーカー

IRFP250 データシート, PDF

品番検索 : 一致 , 類似&前一致 "IRFP250" - 結果は : 44 ( 1/3 Page)

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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IRFP250 の簡単な説明

IRFP250は、インバータ、電源、モータードライブ、オーディオアンプなどのパワーエレクトロニクス用途におけるスイッチングおよび増幅用に設計された高出力NチャネルMOSFETです。International Rectifier（現在はInfineon Technologies傘下）によって製造されたIRFP250は、高電圧処理能力、堅牢な電流容量、低オン抵抗を特長としており、中～高電力システムに最適です。

このMOSFETのドレイン-ソース間電圧（V_DS）定格は200Vで、最大30Aの連続ドレイン電流を処理できます。適切なヒートシンクを装着した場合の最大消費電力は約200Wです。比較的低いR_DS(on)（通常約0.085Ω）と2.0～4.0Vのゲート閾値電圧を特徴としており、標準的なゲートドライバで効率的に動作します。ロジックレベルMOSFETではありませんが、パワースイッチング回路で一般的に使用される10Vゲート駆動信号での使用に適しています。

TO-247ケースにパッケージ化されたIRFP250は優れた熱性能を備え、ヒートシンクに取り付けることで高電流スイッチング動作中に発生する熱を管理できるように設計されています。

IRFP250は、産業機器、車載機器、高出力電子機器の幅広い設計において、効率的なスイッチング性能と高電流処理能力を提供する、堅牢で信頼性の高いパワーMOSFETです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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