PXAC210552FC データシート(PDF) - Infineon Technologies AG

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PXAC210552FC データシート (PDF) - Infineon Technologies AG

PXAC210552FC Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


部品番号	PXAC210552FC

ダウンロード	PXAC210552FC ダウンロード

ファイルサイズ	206.69 Kbytes

ページ	10 Pages

メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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部品情報	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

PXAC210552FC Datasheet (PDF)

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PXAC210552FC Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


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メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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部品情報	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

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同様の部品番号 - PXAC210552FC

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Cree, Inc	PXAC210552FC	600Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXAC210552FC	702Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz Rev. 05, 2023-06-28
	PXAC210552FC-V1-R0	702Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz Rev. 05, 2023-06-28
	PXAC210552FC-V1-R2	702Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz Rev. 05, 2023-06-28

同様の説明 - PXAC210552FC

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Infineon Technologies A...	PXAC182002FC	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz Rev. 02.3, 2016-06-17
	PXAC200902FC	489Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 90 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz Rev. 02.1, 2016-02-11
	PXAC210552MD	466Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz Rev. 03.1, 2017-01-25
	PXAC210552ND	466Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz Rev. 04.1, 2017-01-09
Cree, Inc	PXAE184408NB	1Mb / 6P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAC182002FC	495Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PXAC210552FC	600Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz
	PTAC210802FC	719Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz
	PXAC200902FC	600Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 90 W, 28 V, 1805 - 2170 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXAC210552FC	702Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz Rev. 05, 2023-06-28

Infineon Technologies AG について

Infineon Technologiesは、自動車、産業、通信システムなど、さまざまな業界に電力管理、セキュリティ、および制御ソリューションを提供することを専門とするグローバルな半導体メーカーです。
同社は1999年に設立され、ドイツのノイビバーグに本社を置いています。
Infineonは、マイクロコントローラー、パワー半導体、センサー、その他の統合回路を含む幅広い製品を提供しています。
同社は世界市場で強い存在感を抱いており、世界中のさまざまな国の運営と施設があります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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