NESG204619 データシート(PDF) - NEC

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NESG204619 データシート (PDF) - NEC

NESG204619 Datasheet PDF - NEC


部品番号	NESG204619

ダウンロード	NESG204619 ダウンロード

ファイルサイズ	116.48 Kbytes

ページ	3 Pages

メーカー	NEC [NEC]

ホームページ	http://www.nec.com/

Logo

部品情報	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

NESG204619 Datasheet (PDF)

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NESG204619 Datasheet PDF - NEC


部品番号	NESG204619

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メーカー	NEC [NEC]

ホームページ	http://www.nec.com/

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部品情報	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

NESG204619 データシート (HTML) - NEC

NESG204619 Datasheet HTML 1Page - NEC

NESG204619 Datasheet HTML 2Page - NEC

NESG204619 Datasheet HTML 3Page - NEC

NESG204619 製品詳細

FEATURES
• IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS:
NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, F = 2 GHZ
• HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY FOR SIGE TRANSISTORS:
VCEO (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 5.0 V
• 3-PIN SUPER MINIMOLD (19) PACKAGE

同様の部品番号 - NESG204619

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
California Eastern Labs	NESG204619	320Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	NESG204619	302Kb / 10P	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 2008
California Eastern Labs	NESG204619-A	320Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	NESG204619-A	302Kb / 10P	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 2008
Renesas Technology Corp	NESG204619-T1	302Kb / 10P	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 2008

同様の説明 - NESG204619

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	NESG2046M33	118Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NEC	NESG210719	114Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NESG2046M33	292Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NESG204619	320Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	NESG2021M05	159Kb / 14P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
	NESG2031M05	158Kb / 14P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
	NESG3032M14	168Kb / 15P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
	NESG3033M14	176Kb / 16P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
	NESG210719	124Kb / 10P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
	2SC5761	305Kb / 16P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION May 2003

NEC について

NEC Corporationは、日本の多国籍情報技術および電子会社です。同社は1899年に設立され、日本の東京に本社を置いています。 NECは、情報技術、通信、電子機器など、幅広い製品とサービスを提供しています。そのポートフォリオには、コンピューターハードウェア、ソフトウェア、サービス、ネットワークソリューション、ディスプレイソリューション、エンタープライズサーバー、ストレージソリューションが含まれます。

NECは、情報技術の分野での専門知識と、革新的で高品質の製品とサービスを提供する能力で知られています。同社は、世界中のさまざまな国に運営と施設を持ち、アジア太平洋地域で強い存在感を示しています。 NECは、顧客と緊密に連携して、特定の要件とニーズを満たすカスタマイズされたソリューションを提供します。

コアビジネスに加えて、NECは研究開発の分野でも活動しており、人工知能、5Gネットワーク、モノのインターネット（IoT）などの高度な技術に関連するさまざまなプロジェクトに関与しています。 NECは、社会の発展をサポートし、世界中の人々の生活の質を向上させる持続可能なソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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