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2SC5761 データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

2SC5761 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 2SC5761
ダウンロード  2SC5761 ダウンロード
ファイルサイズ   305.1 Kbytes
ページ   16 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISEHIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5761 Datasheet (PDF)

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2SC5761 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 2SC5761
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ファイルサイズ   305.1 Kbytes
ページ   16 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISEHIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5761 データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5761 製品詳細

FEATURES
• Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package




同様の部品番号 - 2SC5761

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC
2SC5761 NEC-2SC5761 Datasheet
81Kb / 14P
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
2SC5761-T2 NEC-2SC5761-T2 Datasheet
81Kb / 14P
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
More results


同様の説明 - 2SC5761

メーカー部品番号データシート部品情報
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NEC
NESG2046M33 NEC-NESG2046M33 Datasheet
118Kb / 3P
NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 NEC-NESG204619 Datasheet
116Kb / 3P
NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG210719 NEC-NESG210719 Datasheet
114Kb / 3P
NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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California Eastern Labs
NESG2046M33 CEL-NESG2046M33 Datasheet
292Kb / 4P
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 CEL-NESG204619 Datasheet
320Kb / 4P
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp
NESG2021M05 RENESAS-NESG2021M05 Datasheet
159Kb / 14P
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG2031M05 RENESAS-NESG2031M05 Datasheet
158Kb / 14P
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG3032M14 RENESAS-NESG3032M14 Datasheet
168Kb / 15P
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
NESG3033M14 RENESAS-NESG3033M14 Datasheet
176Kb / 16P
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
NESG210719 RENESAS-NESG210719 Datasheet
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NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
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Renesas Technology Corp について


Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット(IoT)、人工知能(AI)、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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