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SCTW60N120G2AG データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCTW60N120G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCTW60N120G2AG
ダウンロード  SCTW60N120G2AG ダウンロード
ファイルサイズ   197.08 Kbytes
ページ   11 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

SCTW60N120G2AG Datasheet (PDF)

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SCTW60N120G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCTW60N120G2AG
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ファイルサイズ   197.08 Kbytes
ページ   11 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

SCTW60N120G2AG データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCTW60N120G2AG 製品詳細

Features
• AEC-Q101 qualified
• High speed switching performance
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• DC-DC converters
• Solar Inverters and renewable energy
• SMPS
• OBC

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative
properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per
unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an
industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These
features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power
density applications.




同様の部品番号 - SCTW60N120G2AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTW60N120G2 STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2 Datasheet
201Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package
14-Jun-2021
More results


同様の説明 - SCTW60N120G2AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
SCTH100N120G2-AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N120G2-AG Datasheet
439Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
23-Jul-2020
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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