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SCTW60N120G2 データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCTW60N120G2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCTW60N120G2
ダウンロード  SCTW60N120G2 ダウンロード
ファイルサイズ   201.26 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

SCTW60N120G2 Datasheet (PDF)

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SCTW60N120G2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCTW60N120G2
ダウンロード  SCTW60N120G2 Click to download

ファイルサイズ   201.26 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

SCTW60N120G2 データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCTW60N120G2 製品詳細

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control




同様の部品番号 - SCTW60N120G2

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
More results


同様の説明 - SCTW60N120G2

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS-SCTW40N120G2V Datasheet
205Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an HiP247 package
09-Jun-2021
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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