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NE321000 データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
NE321000 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 NE321000
ダウンロード  NE321000 ダウンロード
ファイルサイズ   215.03 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 Datasheet (PDF)

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NE321000 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 NE321000
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ファイルサイズ   215.03 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


NE321000 製品詳細

DESCRIPTION
The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and
space applications.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm




同様の部品番号 - NE321000

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 NE321000 NEC-NE321000 Datasheet
48Kb / 12P		 C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
logo
California Eastern Labs		 NE321000 CEL-NE321000 Datasheet
135Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE321000 CEL-NE321000 Datasheet
141Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE321000 CEL-NE321000_01 Datasheet
135Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
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同様の説明 - NE321000

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
California Eastern Labs		 NE3512S02 CEL-NE3512S02 Datasheet
270Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3514S02 CEL-NE3514S02_13 Datasheet
285Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3515S02-A CEL-NE3515S02-A Datasheet
415Kb / 9P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
logo
Renesas Technology Corp		 NE3210S01 RENESAS-NE3210S01 Datasheet
197Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1999
NE32484A RENESAS-NE32484A Datasheet
195Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1991
NE32500 RENESAS-NE32500 Datasheet
199Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1996
NE32900 RENESAS-NE32900 Datasheet
181Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1997
NE34018 RENESAS-NE34018 Datasheet
250Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2000
NE38018 RENESAS-NE38018 Datasheet
236Kb / 13P		 Hetero Junction Field Effect transistor
2003
NE21283A RENESAS-NE21283A Datasheet
718Kb / 12P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1990
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Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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