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STBV18200BY4 データシート (PDF) - Innogration Technologies, Inc.
STBV18200BY4 Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.
部品番号 STBV18200BY4
ダウンロード  STBV18200BY4 ダウンロード
ファイルサイズ   1638.51 Kbytes
ページ   6 Pages
メーカー  INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]
ホームページ  http://www.innogration.net/index.htm
Logo INNOGRATION - Innogration Technologies, Inc.
部品情報 Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor

STBV18200BY4 Datasheet (PDF)

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STBV18200BY4 Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.

部品番号 STBV18200BY4
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ページ   6 Pages
メーカー  INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]
ホームページ  http://www.innogration.net/index.htm
Logo INNOGRATION - Innogration Technologies, Inc.
部品情報 Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor

STBV18200BY4 データシート (HTML) - Innogration Technologies, Inc.


STBV18200BY4 製品詳細

Description
The STBV18200BY4 is a 200watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular
applications from 1.3 to 1.8GHz..
It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal
8dB back off.
There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications
 Asymmetrical Doherty amplifier
 L band power amplifier




同様の部品番号 - STBV18200BY4

メーカー部品番号データシート部品情報
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Innogration Technologie...		 STBV10350BY4 INNOGRATION-STBV10350BY4 Datasheet
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1Mb / 6P		 Gallium Nitride 50V, 500W,0.6-1GHz RF Power Transistor
STBV15600BY4 INNOGRATION-STBV15600BY4 Datasheet
1Mb / 6P		 GaN HEMT 50V, 600W,1.3-1.6GHz RF Power Transistor
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同様の説明 - STBV18200BY4

メーカー部品番号データシート部品情報
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