2SC5338 データシート(PDF) - Renesas Technology Corp

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2SC5338 データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

2SC5338 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部品番号	2SC5338

ダウンロード	2SC5338 ダウンロード

ファイルサイズ	186.52 Kbytes

ページ	10 Pages

メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

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部品情報	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

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部品情報	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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2SC5338 製品詳細

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD

FEATURES
• High gain: S21e2 = 10 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz
• Low distortion, low voltage: IM2 = −55 dB TYP., IM3 = −76 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, Vin = 105 dBµV/75Ω
• 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4703

同様の部品番号 - 2SC5338

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	2SC5338	71Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5338-A	137Kb / 2P	RF & Microwave device
Renesas Technology Corp	2SC5338	186Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD

同様の説明 - 2SC5338

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	2SC5336	49Kb / 6P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	2SC5337	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	2SC5338	71Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	NE856M02	63Kb / 7P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	NE856M02	206Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5336	180Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	2SC5337	877Kb / 6P	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold
California Eastern Labs	2SC5336	1Mb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5337	99Kb / 7P	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold
Renesas Technology Corp	2SC5336	180Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD

Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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