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2SC5606-T1-A データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC5606-T1-A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 2SC5606-T1-A
ダウンロード  2SC5606-T1-A ダウンロード
ファイルサイズ   201.6 Kbytes
ページ   9 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5606-T1-A Datasheet (PDF)

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2SC5606-T1-A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 2SC5606-T1-A
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ファイルサイズ   201.6 Kbytes
ページ   9 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5606-T1-A データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5606-T1-A 製品詳細

FEATURES
• Suitable for high-frequency oscillation
• fT = 25 GHz technology adopted
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package




同様の部品番号 - 2SC5606-T1-A

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 2SC5606-T1-A NEC-2SC5606-T1-A Datasheet
73Kb / 7P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
logo
California Eastern Labs		 2SC5606-T1-A CEL-2SC5606-T1-A Datasheet
329Kb / 6P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
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同様の説明 - 2SC5606-T1-A

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
California Eastern Labs		 NESG2046M33 CEL-NESG2046M33 Datasheet
292Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 CEL-NESG204619 Datasheet
320Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC3355 RENESAS-2SC3355 Datasheet
248Kb / 10P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5508 RENESAS-2SC5508 Datasheet
229Kb / 10P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG2021M05 RENESAS-NESG2021M05 Datasheet
159Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG2031M05 RENESAS-NESG2031M05 Datasheet
158Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
2SC4093 RENESAS-2SC4093 Datasheet
175Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs		 NE85634 CEL-NE85634 Datasheet
216Kb / 6P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NE68719 CEL-NE68719 Datasheet
189Kb / 5P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC5761 RENESAS-2SC5761 Datasheet
305Kb / 16P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
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Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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