 |
データシートサーチシステム |
|
|
データシートサーチシステム |
|
K6R1016V1C データシート(PDF) 9 Page - Samsung semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
K6R1016V1C データシート(HTML) 9 Page - Samsung semiconductor |
|
|
9 / 11 page  K6R1016V1C-C/C-L, K6R1016V1C-I/C-P CMOS SRAM Revision 3.3 - 9 - October 2000 for AT&T DATA RETENTION CHARACTERISTICS*(TA=0 to 70 °C) * The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range. Data Retention Characteristic is for L-ver only. Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit VCC for Data Retention VDR CS ≥VCC-0.2V 2.0 - 3.6 V Data Retention Current IDR VCC=3.0V, CS ≥VCC-0.2V VIN ≥VCC-0.2V or VIN≤0.2V - - 0.4 mA VCC=2.0V, CS ≥VCC-0.2V VIN ≥VCC-0.2V or VIN≤0.2V - - 0.3 Data Retention Set-Up Time tSDR See Data Retention Wave form(below) 0 - - ns Recovery Time tRDR 5 - - ms DATA RETENTION WAVE FORM CS controlled VCC 3.0V VIH VDR CS GND Data Retention Mode CS ≥VCC - 0.2V tSDR tRDR |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか？ [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Japanese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
