AP80SL650AI datasheet(4/6 Pages) A-POWER

部品番号	AP80SL650AI

部品情報	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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メーカー	A-POWER [Advanced Power Electronics Corp.]

ホームページ	http://www.a-power.com.tw

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AP80SL650AI

0.37Ω

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig10. Effective Transient Thermal Impedance

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

0.1

100

1000

10000

200

400

600

800

1000

V DS , Drain-to-Source Voltage (V)

f=1.0MHz

C iss

C oss

C rss

1020304050

Q G , Total Gate Charge (nC)

I D =4.5A

V DS =640V

0.001

0.01

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Pulse Width (s)

PDM

Duty factor = t/T

Peak Tj = PDM x Rthjc + TC

0.02

0.01

0.05

0.1

0.2

Duty factor=0.5

Single Pulse

0.01

0.1

100

1000

V DS , Drain-to-Source Voltage (V)

T C =25

o C

Single Pulse

10us

100us

1ms

10ms

100ms

10V

QGS

QGD

Charge

Operation in this area

limited by RDS(ON)

td(on) tr

td(off) tf

VDS

VGS

10%

90%

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