HM4041 datasheet(4/12 Pages) HMSEMI

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SOP8

PIN NO.

QFN4-X4

PIN NO.

Name

Description

SYSRT

提供系统

ON/OFF 的使能信号。

当电池电压低于

6V，SYSRT 脚输出逻辑低；当电池高于 6V，SYSRT 脚输

出逻辑高讯号。

ICHG

充电电流大小设定，外接电阻到

GND。相关公式如下：

ICC=1V/RICHG x6800、ITC= ICC x0.2、ISHORT= ICC x0.1。

CELL1 电压检测输入引脚。电池均衡功能被开启时,由此引脚抽放电流。

TS 温度保护的输入，该引脚接一个 NTC 电阻至 GND。低温保护阈值为

75%VIN；高温保护阈值为 30%VIN。

TS 接到 GND，可关闭 IC。

10,11

连接到内部的

Block FET，旁路电容至少要接 10uF MLCC 到地。

12,13

BAT

电池连接引脚，电容

0.1uF 并联 10uF。

AGND

模拟地。

(SOP8-E 的 EP)

14,15

PGND

电源地。

(SOP8-E 的 EP)

最大额定值

Parameters

Maximum Ratings

LX、BAT、BD、STAT、TS、VC、BS、VIN

-0.3V to 18V

SYSRT、ICHG、SEN

-0.3V to 3.6V

AGND、PGND

-0.3V to 0.3V

LX Pin current continuous

Junction temperature range

-40°C to 150°C

Storage temperature range

-65°C to 150°C

Lead Temperature

260°C

Maximum Power Dissipation

2.6W

ESD (HBM)

2KV

*高于绝对最大额定值部分所列数值的应力有可能对器件造成永久性的损害，在任何绝对最大额定值条件

下暴露的时间过长都有可能影响器件的可靠性和使用寿命。

HM4041 データシート(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4041 データシート(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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