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PJM138NSA データシート(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
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PJM138NSA データシート(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
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3 / 6 page ![]() 3 / 6 Typical Characteristic Curves D S SD GS D GS J Output Characteristics 500 400 Transfer Characteristics 400 320 300 240 200 160 100 80 0 0 1 2 3 4 0 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 Drain to Source Voltage V (V) Gate to Source Voltage V (V) R 1.5 DS(ON)——I DS(ON) 5 ——V 4 1.2 3 2 0.9 1 0.6 0.2 0.4 0.6 0.8 0 1 2 3 4 5 Drain Current I (A) Gate to Source Voltage V (V) I ——V 1 Threshold Voltage 1.2 0.1 1.0 0.01 0.8 1E-3 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0.6 25 50 75 100 125 Source to Drain Voltage V (V) Juction Temperature T (℃) Plused T =125℃ a T =25℃ a Ta=25℃ Plused GS V =10 GS V V =4.5V a T =25 a ℃ ID=500mA Plused T =125℃ V =1 GS 0V V =4 GS V V =2 GS V V =3V GS Ta=25℃ Pl sed V =3V DS Plused T =125℃ a Ta=25℃ SD =250uA I D DS GS R PJM138NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor www.pingjingsemi.com Revision:2.0 Jan-2019 |
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