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PJM35N30DI データシート(PDF) 2 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

部品番号 PJM35N30DI
部品情報  N-Channel Power MOSFET
PDF  4 Pages
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メーカー  PJSEMI [Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,]
ホームページ  http://www.pingjingsemi.com/MainEn/Main.aspx
Logo PJSEMI - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

PJM35N30DI データシート(HTML) 2 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

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PJM35N30DI
N-Channel Power MOSFET
www.pingjingsemi.com
2 / 4
Revision：1.0 Dec-2018
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Static Parameters
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
ID=250µA, VGS=0V
30
--
--
V
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=30V, VGS=0V
--
--
1
µA
Gate-Body Leakage Current
IGSS
VDS=0V, VGS=±20V
--
--
±100
nA
Gate Threshold Voltage Note3
VGS(th)
VGS=VDS, ID= 250µA
1
--
3
V
Static Drain-Source On-Resistance
Note3
RDS(ON)
VGS=10V, ID=12A
--
4.7
5.5
mΩ
Forward Transconductance Note3
gFS
VDS=10V, ID=12A
30
--
--
S
Dynamic Parameters
Input Capacitance
Ciss
VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz
--
2330
--
pF
Output Capacitance
Coss
--
460
--
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
--
230
--
pF
Switching Parameters
Total Gate Charge
Qg
VGS=10V, VDD=15V, ID=12A
--
45
--
nC
Gate Source Charge
Qgs
--
13
--
nC
Gate Drain Charge
Qgd
--
10
--
nC
Turn-On DelayTime
tD(on)
VGS=10V, VDD=15V, ID=12A
RGEN=6Ω
--
18
--
ns
Turn-On Rise Time
tr
--
10
--
ns
Turn-Off DelayTime
tD(off)
--
34
--
ns
Turn-Off Fall Time
tf
--
10
--
ns
Source-Drain Diode Parameters
Body Diode Forward Voltage Note3
VSD
IS=12A, VGS=0V
--
--
1.2
V
Body Diode Continuous Source
Current Note2
IS
--
--
35
A
Notes: 1. Repetitive rating: pulsed width limited by maximum junction temperature.
2. Surface mounted on FR4 board, t≤10sec.
3. Pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2%.
Electrical Characteristics
TC =25
℃ unless otherwise specified.



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