M36DR232 datasheet(40/46 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	M36DR232

部品情報	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product

PDF	46 Pages

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

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M36D232A, M36DR232B

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Table 33. SRAM Low VCCS Data Retention Characteristics

(1, 2)

(TA = –40 to 85°C; VDDS = 1.65V to 2.2V)

Note: 1. All other Inputs VIH ≤ VDD–0.2V orVIL ≤ 0.2V.

2. Sampled only. Not 100% tested.

Figure 23. SRAM Low VDDS Data Retention AC Waveforms, E1S Controlled

Figure 24. SRAM Low VDDS Data Retention AC Waveforms, E2S Controlled

Symbol

Parameter

Test Condition

Min

Max

Unit

IDDDR

Supply Current (Data Retention)

VDDS = 1.0V, E1S ≥ VDDS – 0.2V,

E2S

≥ VDDS – 0.2V or E2S ≤ 0.2V, f = 0

µA

VDR

Supply Voltage (Data Retention)

E1S

≥ VDDS – 0.2V, E2S ≤ 0.2V, f = 0

12.3

tCDR

Chip Disable to Power Down

E1S

≥ VCCS – 0.2V, E2S ≤ 0.2V, f = 0

0ns

Operation Recovery Time

tRC

AI90224

1.65 V

E1S

tCDR

E1S

≥ VDDS – 0.2V

1.2 V

VDR

VSSS

VDDS

DATA RETENTION MODE

AI90225

1.65 V

E2S

tCDR

E2S

≤ 0.2V

VDR

VSSS

VDDS

DATA RETENTION MODE

0.4 V

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