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F35W60C3 データシート(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

部品番号 F35W60C3
部品情報  Power MOSFET
PDF  2 Pages
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メーカー  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
ホームページ  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

F35W60C3 データシート(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

  F35W60C3 Datasheet HTML 1Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd F35W60C3 Datasheet HTML 2Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
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background image
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
（MOSFET〈2010.
06〉）
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
出力特性
Typical Output Characteristics
Tc=25℃
TYP
１０Ｖ
１０Ｖ
１０Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
６Ｖ
６Ｖ
６Ｖ
５Ｖ
５Ｖ
５Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
VＧS=４Ｖ
Pulse measurement
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
VDS=20V
TYP
Ｔｃ=−５５
Ｔｃ=−５５℃
℃
２５
２５℃
℃
Ｔｃ=−５５℃
２５℃
Pulse measurement
１５０
 １５０℃
℃
１５０℃
１００
 １００℃
℃
１００℃
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
１
２
０．
０１
１０
５
０．
２
０．
１
０．
０５
０．
０２
０．
５
０．
１ ０．
２
０．
５
２
１０ ２０
５０７０
５
１
VGS＝１０V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
１０
０．
００１
０．
１
１
０．
０１
−５５
０
１００
１５０
５０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
Pulse test
TYP
Pulse measurement
IIDD==11７.
７.５
５A
A
ID=1７.５A
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
０
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=２mA
TYP
Pulse measurement
安全動作領域
Safe Operating Area
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
１０
１０５
７０
３５
０．
１
１
１０
０
６００
１００
Tc＝２５℃
Single pulse
RRDS
DS（
（on
on）
）
Restricted space
Restricted space
RDS（on）
Restricted space
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
200μs
200μs
200μs
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Time t〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
２０
８０
１００
４０
６０
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１５
２０
１０
５
ゲートチャージ特性
０
４００
５００
３００
２００
１００
Gate Charge Characteristics
０
６０
１２０
２４０
３００
１８０
ID=３５A
TYP
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Total Gate Charge Qg〔nC〕
θ
θjcjc
θjc
１０-４
１０-５
１０-３
１０-２
１０-１
１００
１０２
１０１
１０
０.００１
０.０１
１
０.１
７０
５０
６０
０
４０
２０
３０
１０
７０
５０
６０
０
４０
２０
３０
１０
０５
１０
２０
１５
１０００００
１００００
１０００
１
１００
１０
F35W60C3



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