F35W60C3 datasheet(1/2 Pages) SHINDENGEN

部品番号	F35W60C3

部品情報	Power MOSFET

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メーカー	SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]

ホームページ	http://www.shindengen.co.jp/

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外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺

印仕様をご確認下さい。

Fordet

ai

l

soft

heout

l

i

nedi

mensi

ons,r

ef

ert

oourweb si

t

e.Asf

ort

he

mar

ki

ng,r

ef

ert

ot

hespeci

f

i

cat

i

on"Mar

ki

ng,Ter

mi

nalConnect

i

on".

PowerMOSFET

（MOSFET〈2010.

06〉）

単位

Uni

t

規格値

Rat

i

ngs

条件

Condi

t

i

ons

記号

Symbol

項

目

I

t

em

℃

－55～150

Tstg

保存温度

St

or

ageTemper

at

ur

e

150

Tch

チャネル温度

ChannelTemper

at

ur

e

V

600

VDSS

ドレイン・ソース間電圧

Dr

ai

n-

Sour

ceVol

t

age

±30

VGSS

ゲート・ソース間電圧

Dr

ai

n-

Sour

ceVol

t

age

A

35

ID

ドレイン電流（直流）

Cont

i

nuousDr

ai

nCur

r

ent(

DC)

105

パルス幅10μs,dut

y=1/

100

Pul

sewi

dt

h10µs,dut

y=1/

100

IDP

ドレイン電流（ピーク）

Cont

i

nuousDr

ai

nCur

r

ent(

Peak)

35

IS

ソース電流（直流）

Cont

i

nuousSour

ceCur

r

ent(

DC)

W

100

PT

全損失

Tot

alPowerDi

ssi

pat

i

on

N・m

0.

8

（推奨値：0.

5N

・m）

(

Recommendedt

or

que:0.

5N

・m)

TOR

締め付けトルク

Mount

i

ngTor

que

F35W60C3

600V35A

■定格表 RATI

NGS

●絶対最大定格 Absol

ut

eMaxi

mum Rat

i

ngs

（指定のない場合 Tc＝25℃）

●電気的・熱的特性 El

ect

r

i

calChar

act

er

i

st

i

cs

（指定のない場合 Tc＝25℃）

Uni

t

：mm

■外観図 OUTLI

NE

Package：MTO-

3P

④

③

① ②

35W60C3

0000

5

16

Date code

ロット記号（例）

Control No.

管理番号（例）

Type No.

品名

①

②

③

④

G

D

S

D

:

単位

Uni

t

規格値 Rati

ngs

条件

Condi

t

i

ons

記号

Symbol

項

目

I

t

em

MAX

TYP

MIN

V

─

600

ID＝1mA,VGS＝0V

V（BR）DSS

ドレイン・ソース間降伏電圧

Dr

ai

n-

Sour

ceBr

eakdownVol

t

age

μA

25

─

VDS＝600V,VGS＝0V

IDSS

ドレイン遮断電流

Zer

oGat

eVol

t

ageDr

ai

nCur

r

ent

±0.

1

─

VGS＝±30V,VDS＝0V

IGSS

ゲート漏れ電流

Gat

e-

Sour

ceLeakageCur

r

ent

S

─

36

18

ID＝17.

5A,VDS＝10V

gfs

順伝達コンダクタンス

For

war

dTr

ansconduct

ance

Ω

0.

10

0.

081

─

ID＝17.

5A,VGS＝10V

R（DS）ON

ドレイン・ソース間オン抵抗

St

at

i

cDr

ai

n-

Sour

ceOn-

st

at

eResi

st

ance

V

3.

9

3.

0

2.

1

ID＝1mA,VDS＝10V

VTH

ゲートしきい値電圧

Gat

eThr

esshol

dVol

t

age

1.

5

─

IS＝17.

5A,VGS＝0V

VSD

ソース・ドレイン間ダイオード順電圧

Sour

ce-

Dr

ai

nDi

odeFor

wadeVol

t

age

℃/W

1.

25

─

接合部・ケース間

Junct

i

ont

ocase

θjc

熱抵抗

Ther

malResi

st

ance

nC

─

155

─

VGS＝10V,ID＝35A,VDD＝400V

Qg

ゲート全電荷量

Tot

alGat

eChar

ge

pF

─

4500

─

VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz

Ci

ss

入力容量

I

nputCapaci

t

ance

─

100

─

Crss

帰還容量

Rever

seTr

ansf

erCapaci

t

ance

─

1500

─

Coss

出力容量

Out

putCapaci

t

ance

ns

─

60

─

ID＝17.

5A,VDD＝150V,RL＝8.

6Ω

VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V

td

（on）

ターンオン遅延時間

Tur

n-

ondel

ayt

i

me

─

96

─

tr

上昇時間

Ri

set

i

me

─

640

─

td

（off）

ターンオフ遅延時間

Tur

n-

of

fdel

ayt

i

me

─

90

─

tf

下降時間

Fal

lt

i

me

www.

s

hi

ndengen.

co.

j

p/

pr

oduct

/

s

emi

/

特長

煙

低オン抵抗

煙

高速スイッチング

Feat

ur

e

煙

LowRON

煙

FastSwi

t

chi

ng

※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0.

4

〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。

TheJuncti

onTemperaturei

scal

cul

atedfromthecasetemperature,thermalresi

stanceval

ueuses0.

4℃/W.Usei

ntheSafeOperati

ngAreafori

nputcurrentandvol

tage.

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