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2SB541 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB541 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2SB541 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -1A B -2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -1A B -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -100V; IE= 0 -0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -0.1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -5V 40 200 hFE-2 DC Current Gain IC= -4A; VCE= -5V 20 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; f= 1MHz 320 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.2A; VCE= -10V 7 MHz hFE-1 Classifications S R Q 40-80 60-120 100-200 isc Website:www.iscsemi.cn |
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