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2SD683 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD683 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD683 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 5A; L= 10mH 400 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 0.2A 2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 0.2A 2.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 600V; IE= 0 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 30 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 5A; VCE= 5V 500 hFE-2 DC Current Gain IC= 15A; VCE= 5V 30 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 10A 3.0 V COB Output Capacitance VCB= 50V, IE= 0; ftest= 1MHz 100 pF Switching Times ton Turn-On Time 0.4 μs ts Storage Time 15 μs tf Fall Time VCC=150V; IB1= -IB2= 0.1A 3.0 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
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