2SD683 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SD683

部品情報	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD683

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 400V(Min)

·High DC Current Gain-

: hFE= 500(Min.)@ IC= 5A

APPLICATIONS

·High voltage and high power switching applications.

·Motor driver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

600

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

15

A

IB

B

Base Current

2

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25℃

150

W

Tj

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-65~150

℃

isc Website：www.iscsemi.cn

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