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BU2523DF データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BU2523DF データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2523DF ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ;IB= 0,L= 25mH 800 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 600mA ;IC= 0 7.5 13.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5.5A ;IB= 1.1A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5.5A ;IB= 1.1A B 1.0 V ICES Collector Cutoff Current VCE= BVCES; VBE= 0 VCE= BVCES; VBE= 0;TC=125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 80 170 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 5V 12 hFE-2 DC Current Gain IC= 5.5A ; VCE= 5V 5 10.8 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 5.5A 2.2 V isc Website:www.iscsemi.cn |
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