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BU2523DF データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 BU2523DF
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

BU2523DF データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
BU2523DF
DESCRIPTION
·High Switching Speed
·High Voltage
·Built-in Ddamper Ddiode
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits of
high resolution monitors.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
1500
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
800
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7.5
V
IC
Collector Current-Continuous
11
A
ICM
Collector Current-peak
29
A
IB
B
Base Current-Continuous
7
A
IBM
Base Current-peak
10
A
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
45
W
Tj
Junction Temperature
150
℃
Tstg
Storage Temperature Range
-55~150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance, Junction to Case
2.8
K/W
isc Website：www.iscsemi.cn


同様の部品番号 - BU2523DF

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NXP Semiconductors		 BU2523DF PHILIPS-BU2523DF Datasheet
67Kb / 7P		 Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.200
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同様の説明 - BU2523DF

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
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106Kb / 2P		 isc Silicon NPN Power Transistor
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