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TIP36E データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 TIP36E
部品情報  isc Silicon PNP Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

TIP36E データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon PNP Power Transistor
TIP36E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
VCEO(SUS)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC= -30mA; IB= 0
-140
V
VCE(sat)-1
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -15A; IB= -3A
-2.5
V
VCE(sat)-2
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -25A; IB= -6.25A
-5.0
V
VBE(on)-1
Base-Emitter On Voltage
IC= -15A; VCE= -4V
-2.0
V
VBE(on)-2
Base-Emitter On Voltage
IC= -25A; VCE= -4V
-4.0
V
ICEO
Collector Cutoff Current
VCE= -90V; IB= 0
B
-1.0
mA
ICES
Collector Cutoff Current
VCE= -180V; VBE= 0
-0.7
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= -5V; IC= 0
-1.0
mA
hFE-1
DC Current Gain
IC= -1.5A; VCE= -4V
25
hFE-2
DC Current Gain
IC= -15A; VCE= -4V
8
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IC= -1A ; VCE= -10V; ftest= 1.0MHz
3
MHz
Switching Times
ton
Turn-On Time
1.2
μs
toff
Turn-Off Time
IC= -15A; IB1= -IB2= -1.5A;
VBE(off)= -4.15V; RL= 2Ω
0.9
μs
isc Website：www.iscsemi.cn



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