STUD30N01 datasheet(1/10 Pages) SAMHOP

部品番号	STUD30N01

部品情報	Super high dense cell design for low RDS(ON).

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メーカー	SAMHOP [SamHop Microelectronics Corp.]

ホームページ	http://www.samhop.com.tw

Logo

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S mHop Microelectronics C orp.

a

Symbol

VDS

VGS

IDM

A

ID

Units

Parameter

100

V

±20

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

PRODUCT SUMMARY

VDSS

ID

RDS(ON) (m

Ω) Typ

100V

30A

30

@

VGS=10V

FEATURES

Super high dense cell design for low RDS(ON).

Rugged and reliable.

TO-252 and TO-251 Package.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)

Limit

Drain Current-Continuous

-Pulsed

a c

A

www.samhop.com.tw

Aug,26,2014

1

Details are subject to change without notice.

TC=25°C

W

PD

°C

-55 to 175

TC=25°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage

Temperature Range

TJ, TSTG

50

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R JA

2.2

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R JC

TC=70°C

A

TC=70°C

W

30

88

68

25

48

G

S

STU SERIES

TO - 252AA( D- PAK )

STD SERIES

TO - 251( I - PAK )

G

S

D

STU30N01

STD30N01

Ver 1.0

Green

Product

c

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