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2SD1355 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1355 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A 2.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 1A; VCE= 5V 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 100 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 40 240 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 5V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 1A; VCE= 5V 12 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1MHz 100 pF hFE-1 Classifications R O Y 40-80 70-140 120-240 |
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