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STB24N65M2 データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics

部品番号 STB24N65M2
部品情報  Extremely low gate charge
PDF  20 Pages
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メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STB24N65M2 データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics

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STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2
Electrical characteristics
DocID026475 Rev 2
5/20
Table 8: Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ISD
Source-drain current
-
16
A
ISDM(1)
Source-drain current (pulsed)
-
64
A
VSD(2)
Forward on voltage
ISD = 16 A, VGS = 0
-
1.6
V
trr
Reverse recovery time
ISD = 16 A, di/dt = 100 A/µs
VDD = 60 V
-
350
ns
Qrr
Reverse recovery charge
-
4.5
µC
IRRM
Reverse recovery current
-
26
A
trr
Reverse recovery time
ISD = 16 A, di/dt = 100 A/µs
VDD = 60 V, Tj = 150 °C
-
496
ns
Qrr
Reverse recovery charge
-
6.5
µC
IRRM
Reverse recovery current
-
25.5
A
Notes:
(1)Pulse width limited by safe operating area.
(2)Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%



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