TS110-7 datasheet(3/10 Pages) STMICROELECTRONICS

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DocID022271 Rev 4

3/10

TS110-7

Characteristics

Table 3. Static electrical characteristics

Symbol

Test conditions

Value

Unit

VTM

ITM = 2.5 A, tp = 380 µs

Tj = 25 °C

Max.

1.4

VT0

Threshold voltage

Tj = 125 °C

Max.

0.9

Dynamic resistance

Tj = 125 °C

Max.

200

IDRM

IRRM

VD = VDRM / VRRM, RGK = 220 Ω

Tj = 25 °C

Max.

1µA

Tj = 125 °C

100

µA

Table 4. Thermal resistance

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-l)

Junction to leads (DC)

TO-92

°C/W

Rth(j-a)

Junction to ambient (DC)

TO-92

160

SMBflat-3L

Rth(j-c)

Junction to case (DC)

S = 5 cm2

SMBflat-3L

Figure 1. Maximum average power dissipation

versus average on-state current

Figure 2. Average and DC on-state current

versus lead temperature (TO-92)

P(W)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

(A)

T(AV)

360°

α = 30°, 60°, 90°, 120°, 180°, DC

(A)

T(AV)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100

125

(°C)

lead

α = 30°, 60°, 90°, 120°, 180°, DC

Figure 3. Average and DC on-state current

versus lead temperature (SMBflat-3L)

Figure 4. Average and DC on-state current

versus ambient temperature

(A)

T(AV)

α = 30°, 60°, 90°, 120°, 180°, DC

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100

125

(°C)

lead

I(A)

T(AV)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

100

125

TO-92

180-

SMBF-3L

TO-92

SMBF-3L

180-

(°C)

amb

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