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ACE6802B データシート(PDF) 2 Page - ACE Technology Co., LTD.

部品番号 ACE6802B
部品情報  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
PDF  6 Pages
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メーカー  ACE [ACE Technology Co., LTD.]
ホームページ  http://www.ace-ele.com
Logo ACE - ACE Technology Co., LTD.

ACE6802B データシート(HTML) 2 Page - ACE Technology Co., LTD.

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background image
ACE6802B
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
VER 1.1
2
Electrical Characteristics
TA=25℃, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown
Voltage
V(BR)DSS
VGS = 0V, ID = 250μA
80
V
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS1
VDS = 80V, VGS = 0V
1
μA
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS = VDS , IDS= 250μA
2
3
4
V
Gate Leakage Current
IGSS
VGS= ±20V , VDS=0V
±100
nA
Drain-Source On-state
Resistance
RDS(on)
VGS = 10V , ID= 30A
4.5
5.5
mΩ
Forward Trans Conductance
gFS
VDS= 5V , ID= 20A
40
S
Diode Forward Voltage
VSD
ISD= 30A , VGS= 0V
1.2
V
Diode Forward Current
IS
110
A
Switching
Total Gate Charge
Qg
VDS= 40V, ID= 20A,
VGS= 10V
48
nC
Gate-Source Charge
Qgs
18.8
nC
Gate-Drain Charge
Qgd
12.3
nC
Turn-on Delay Time
td( on )
VDD= 40V,ID= 2A,
VGS= 10V,RGEN= 2.5Ω
18
ns
Turn-on Rise Time
tr
35
ns
Turn-off Delay Time
td( off )
46
ns
Turn-off Fall Time
tf
13
ns
Dynamic
Input Capacitance
Ciss
VDS=40V,VGS= 0V,
f= 1.0MHz
2800
pF
Output Capacitance
Coss
1162
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
48
pF



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